081205

ちょっと秋葉原寄ってH8開発機のパーツを買ってきました。メモリは1MBit SRAM、M68AF127BM55にしました。5Vということ、SOPでもピッチは1.27mmとなん とかがんばれそうなとこで。0.8mmはまず無理そう。
書泉で立ち読みしてたらOE#,WE#じゃなくR/W#のものもないことはないらしい。 リードする時にOE#をアサートした時はWE#はデサートしないといけない。でも ライトする時はOE#とWE#を両方ともアサートしてもよく、その時はWE#が優先 されるというような作りでリードモディファイライトが効率よくできるように なっているものもある。
リードの時はOE#をアサートしたままアドレスが変更されればそのままリード が可能というのもある。
あれやこれやデータシートにパターンが書いてあるのは機能の説明か。そこは H8側が良きに謀らってくれるので僕が気も揉むことはないのだけれど。
SOP変換基盤SSP-123も。SRAMが一個100円なのに、この基盤は一個350円相当。 高いんだ。

• 内蔵RAM,ROMはバス幅16bit 2ステート。内蔵周辺モジュールは3ステート。
• CS0#-CS3#は対応するI/OポートのDDRで出力を設定、CS4#-CS7#はバスコントローラのCSCRで設定。
• DRAMを接続できるのはエリア3のみ。
• 8bitアクセス空間ではRD#とHWR#でD8-D15が有効。D0-D7はI/Oポート4に使える。
• バスサイクルはシステムクロック。1サイクル1ステート。25MHzの場合、1ステート40ns。
• SRAM(M68AF127BM55)のアクセスタイムは55ns。この55nsは
  • tAVAV Read cycle time(min) 最低でもアドレスを確定させておく時間が55ns
  • tAVQV Address valid to output valid(Max) データが読み出されるまでにかかる最大の時間
  • tELQV Chip Enable low to output valid(Max) 上ののOE#をアサートしてからの時間
  • tPD Chip Enable or UB#/LB# low to power up(Max) CE#がデサートしてからスタンバイモードに入るまでの時間。
  2ステート、ノーウェイトで80nsでいいのかな。
• 16bitアクセスにすると奇数番地、偶数番地でHWR,LWRで切り分ける。そう するとM68AF127BM55を2個使うとそれぞれ半分の64KBしか使えない。

とりあえず8bitで一個接続してみよう。あまり複雑になると自信がないし。